GSID200A120S5C1 Дискритетные полупроводниковые изделия Дистрибьютор электронных компонентов

Подробная информация о продукции

Условия оплаты и доставки

Описание: Модуль IGBT 1200V 335A

Получите самую лучшую цену

Контакт теперь

Спецификации

Описание

Спецификации

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                            GSID200A120S5C1, Дискретные продукты полупроводника, раздатчик электронных блоков
                                                      

Категория:	Дискретные полупроводниковые изделияТрансисторыIGBTsIGBT модули	Ток - коллектор (Ic) (макс.):	335 А
Статус продукта:	Старый	Тип установки:	Подвеска на шасси
Пакет:	Насыщенные	Серия:	-
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	2.1В @ 15В, 200А	Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):	1200 В
Пакет изделий поставщика:	Модуль	Мфр:	Половина
Операционная температура:	-40 °C ~ 150 °C (TJ)	Ток - предел коллектора (макс.):	1 мА
Тип IGBT:	-	Пакет / чемодан:	Модуль
Ввод:	Стандартный	Вводная емкость (Cies) @ Vce:	22.4 nF @ 25 В
Конфигурация:	Трехфазный инвертор	Термистор NTC:	Да, да.
Номер базовой продукции:	GSID200

Категория:	Дискретные полупроводниковые изделияТрансисторыIGBTsIGBT модули
Ток - коллектор (Ic) (макс.):	335 А
Статус продукта:	Старый
Тип установки:	Подвеска на шасси
Пакет:	Насыщенные
Серия:	-
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	2.1В @ 15В, 200А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):	1200 В
Пакет изделий поставщика:	Модуль
Мфр:	Половина
Операционная температура:	-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.):	1 мА
Тип IGBT:	-
Пакет / чемодан:	Модуль
Ввод:	Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:	22.4 nF @ 25 В
Конфигурация:	Трехфазный инвертор
Термистор NTC:	Да, да.
Номер базовой продукции:	GSID200