продукты

Дом /

продукты

ИРГ7ПШ54К10ДПБФ

Подробная информация о продукции

Условия оплаты и доставки

Получите самую лучшую цену

Контакт теперь

Спецификации

Описание

Спецификации

Выделить:

Ток утечки излучателя порта::	nA 200	Категория продуктов::	IGBT-транзисторы
Стиль установки::	Через дыру	Непрерывный коллекторный ток при 25 ° C::	120 a
Pd - диссипация силы::	520 w	Коллектор-излучатель напряжение VCEO Max::	1200 В
Пакет / чемодан::	ТО-247-3	Максимальная рабочая температура::	+ 150 C
Максимальное напряжение выпускателя::	+/- 30 В	Упаковка::	Трубка
Конфигурация::	Одинокий	Напряжение насыщения коллектора-излучателя::	2,4 v
Производитель::	Инфракрасн/Infineon

Ток утечки излучателя порта::	nA 200
Категория продуктов::	IGBT-транзисторы
Стиль установки::	Через дыру
Непрерывный коллекторный ток при 25 ° C::	120 a
Pd - диссипация силы::	520 w
Коллектор-излучатель напряжение VCEO Max::	1200 В
Пакет / чемодан::	ТО-247-3
Максимальная рабочая температура::	+ 150 C
Максимальное напряжение выпускателя::	+/- 30 В
Упаковка::	Трубка
Конфигурация::	Одинокий
Напряжение насыщения коллектора-излучателя::	2,4 v
Производитель::	Инфракрасн/Infineon

Описание

ИРГ7ПШ54К10ДПБФ

IRG7PSH54K10DPBF, от IR / Infineon, это IGBT транзисторы. То, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!

Tags:

Аналогичные продукты

Пожалуйста, отправьте нам свой запрос, и мы ответим вам как можно скорее.

Отправьте

Процессор и микроконтроллер (MCU/MPU/SOC)

STMикроэлектроника

TI Texas Instruments

Микрочип

INFINEON

NXP

ADI

ОНСЕМИ

ЮТК/Хунцзин

WCH/Наньцзинь Цинхэн

GigaDevice/Zhaoyi Innovation (ГигаДейвис/Заои Инновации)

Обломок интегральной схемаы

Аналоговый чип

Часы и таймеры

Логический чип

Микросхема памяти

Управление IC силы

Чип интерфейса

Чип усилителя

обломок водителя

Беспроводные/РЧ

Транзистор

Транзистор влияния поля (MOSFET)

транзистор igbt

Транзистор Darlington

Диод

Стабилитрон

Диоды и выпрямители тока Schottky

Диод быстрого восстановления / Ультрабыстрого восстановления

Группа резисторов

0201 SMD-резистор

резистор 0402 smd

резистор 0603 smd

0805 SMD резистор

1206 SMD резистор

1210 SMD резистор

1812 SMD резистор

SMD-резистор 2010 года

2512 SMD резистор

Другие резисторы

Банка конденсаторов

0201 Конденсатор SMD

0402 Конденсатор SMD

Конденсатор 0603 SMD

0805 Конденсатор SMD

1206 Конденсатор SMD

1210 Конденсатор SMD

Конденсатор 1812 SMD

Алюминиевый электролитический конденсатор

Другие конденсаторы

Группа индукторов

0201 Индуктор SMD

0402 Индуктор SMD

0603 Индуктор SMD

0805 Индуктор SMD

Индуктивность катушки

Реле и датчики

реле

Датчик

Группа материалов-дополнителей

Кнопка переключателя

Аудиокомпоненты

Группа соединителей

Группа проводов Se/соединительных линий

Полупроводники

Дискретные полупроводники

Выпрямители тока диодов

Транзисторы

Врезанные регуляторы процессоров

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

Интегральные микросхемы

ИС усилителя

ИС драйвера

Переключатель ICs

Защита цепей

Термисторы

Термисторы PTC

Дискретные продукты полупроводника

ДИОДЫ

Зенер